26．可控硅的正向阻断是（）。

A、可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压

B、可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压

C、可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压

D、可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压

27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=（）安。

A、17.3∠-40°

B、10∠-160°

C、10∠80°

D、17.3∠80°

28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（）。

A、U2

B、U2/2

C、U2 0.45U2

29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（）逻辑。

A、与非

B、或非

C、与

D、非

30．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（）之间连续可调。

A、0~0.45U2

B、0~0.9U2

C、0~U2

D、0~2.34U2

31．已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=（）A。

A、14.1∠0°

B、14.1∠180°

C、10∠0°

D、10∠-180°

32．可控硅导通条件是()。

A、阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压

B、阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压

C、阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压

D、阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压

33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（）工作状态。

A、放大

B、截止

C、饱和

D、开路

34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（）。