（6）a．样品中含有苯酚杂质，苯酚和溴发生取代反应生成沉淀，消耗相同质量的溴，消耗环己烯的质量大于苯酚，所以如果含有苯酚导致测定偏高，故错误；

b．在测定过程中部分环己烯挥发导致环己烯质量减少，导致测定结果偏低，故正确；

c．Na2S2O3标准溶液部分被氧化导致消耗的硫代硫酸钠偏大，与环己烯反应的溴偏低，导致测定结果偏低，故正确；

故选bc。

【点评】本题考查物质含量测定，侧重考查实验操作、实验分析判断及计算能力，明确化学反应原理、元素化合物性质、实验操作及误差分析是解本题关键，注意关系式在方程式计算中的灵活运用，易错点是误差分析，题目难度中等。

10．（14分）多晶硅是制作光伏电池的关键材料。以下是由粗硅制备多晶硅的简易过程。

回答下列问题：

Ⅱ．将SiCl4氢化为SiHCl3有三种方法，对应的反应依次为：

①SiCl4（g）+H2 （g）⇌SiHCl3（g）+HCl（g）△H1＞0

②3SiCl4 （g）+2H2 （g）+Si（s）⇌4SiHCl3（g）△H2＜0

③2SiCl4（g）+H2 （g）+Si（s）+HCl（g）⇌3SiHCl3（g） △H3

（1）氢化过程中所需的高纯度H2可用惰性电极电解KOH溶液制备，写出产生H2的电极名称阴极（填“阳极”或“阴极”），该电极反应方程式为2H2O+2e﹣＝H2↑+2OH﹣或2H++2e﹣＝H2↑。

（2）已知体系自由能变△G＝△H﹣T△S，△G＜0时反应自发进行。三个氢化反应的△G与温度的关系如图1所示，可知：反应①能自发进行的最低温度是1000℃；相同温度下，反应②比反应①的△G小，主要原因是△H2＜△H1导致反应②的△G小。

（3）不同温度下反应②中SiCl4转化率如图2所示。下列叙述正确的是ac（填序号）。

a．B点：v正＞v逆 b．v正：A点＞E点 c．反应适宜温度：480～520°C

（4）反应③的△H3＝△H2﹣△H1（用△H1，△H2表示）。温度升高，反应③的平衡常数K减小（填“增大”、“减小”或“不变”）。

（5）由粗硅制备多晶硅过程中循环使用的物质除SiCl4、SiHCl3和Si外，还有HCl、H2（填分子式）。

【考点】BE：热化学方程式；CM：转化率随温度、压强的变化曲线；U3：制备实验方案的设计

【专题】548：制备实验综合．

【分析】Ⅰ．硅粉与HCl在300℃时反应生成1molSiHCl3气体和H2，放出225kJ热量，根据反应热及反应物状态、反应条件书写该反应的热化学方程式；SiHCl3中存在1个Si﹣H键、3个Si﹣Cl键；

（1）电解KOH溶液时，阳极上水或氢氧根离子失电子生成氧气，阴极上水或氢离子得电子生成氢气；

（2）①SiCl4（g）+H2 （g）⇌SiHCl3（g）+HCl（g），该反应的△S＝0，要使△G＝△H＜0；①中△H＞0、②△H＜0，且反应②△S＜0；

（3）根据图知，A到D点，随着温度升高，SiCl4转化率增大，说明平衡正向移动且没有达到平衡状态，D点后升高温度SiCl4转化率降低，说明升高温度平衡逆向移动，则D为平衡点，

a．B点平衡正向移动；

b．温度越高化学反应速率越快；

c．其转化率越大越好且温度不能太高；

（4）①SiCl4（g）+H2 （g）⇌SiHCl3（g）+HCl（g）△H1＞0

②3SiCl4 （g）+2H2 （g）+Si（s）⇌4SiHCl3（g）△H2＜0

将方程式②﹣①得③2SiCl4（g）+H2 （g）+Si（s）+HCl（g）⇌3SiHCl3（g），焓变进行相应的改变；

升高温度平衡向吸热方向移动；

（5）根据图知，粗硅和干燥HCl反应生成混合物，SiHCl3和氢气反应生成HCl；混合物分离得到氢气，SiHCl3和氢气反应生成HCl需要氢气。

（1）电解KOH溶液时，阳极上水或氢氧根离子失电子生成氧气，阴极上水或氢离子得电子生成氢气，电极反应式为2H2O+2e﹣＝H2↑+2OH﹣或2H++2e﹣＝H2↑，

故答案为：阴极；2H2O+2e﹣＝H2↑+2OH﹣或2H++2e﹣＝H2↑；

（2）①SiCl4（g）+H2 （g）⇌SiHCl3（g）+HCl（g），该反应的△S＝0，要使△G＝△H＜0，根据图知，反应①能自发进行的最低温度是1000℃；①中△H＞0、②△H＜0，且反应②△S＜0，△H2＜△H1导致反应②的△G小，

故答案为：1000℃；△H2＜△H1导致反应②的△G小；

（3）根据图知，A到D点，随着温度升高，SiCl4转化率增大，说明平衡正向移动且没有达到平衡状态，D点后升高温度SiCl4转化率降低，说明升高温度平衡逆向移动，则D为平衡点，

a．B点平衡正向移动，所以v正＞v逆，故正确；

b．温度越高化学反应速率越快，温度A＜E，所以反应速率A＜E，故错误；