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c．其转化率越大越好且温度不能太高，根据图知，反应适宜温度：480～520°C，故正确；
故选ac；
（4）①SiCl4（g）+H2 （g）⇌SiHCl3（g）+HCl（g）△H1＞0
②3SiCl4 （g）+2H2 （g）+Si（s）⇌4SiHCl3（g）△H2＜0
将方程式②﹣①得③2SiCl4（g）+H2 （g）+Si（s）+HCl（g）⇌3SiHCl3（g），△H3＝△H2﹣△H1＜0，
升高温度平衡向吸热方向移动，该反应的正反应是放热反应，升高温度平衡逆向移动，所以升高温度反应③的平衡常数K减小，
故答案为：△H2﹣△H1；减小；
（5）根据图知，粗硅和干燥HCl反应生成混合物，SiHCl3和氢气反应生成HCl；混合物分离得到氢气，SiHCl3和氢气反应生成HCl需要氢气，所以由粗硅制备多晶硅过程中循环使用的物质除SiCl4、SiHCl3和Si外，还有HCl、H2，
故答案为：HCl、H2。
【点评】本题考查物质制备，涉及盖斯定律、热化学方程式书写、图象分析判断等知识点，明确化学反应原理及外界条件对化学平衡移动影响因素是解本题关键，易错点是（3）题分析，注意平衡点的判断，题目难度不大。
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