D W=2rSin(β/2)/[1-(r/f)Cos(f/2)]

E W=2rCos(β/2)/[1-(r/f)Sin(β/2)]

34关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是:

A剂量建成区B低剂量坪区C高剂量坪区D剂量跌落区E X射线污染区

35电子束和X（γ）线在皮肤表面相交，会在衔接处出现剂量冷点和热点，其原因是电子束照射野产生的().

A侧向散射B反向散射C偏转D半影E加速

36近距离照射中,距离源1cm和3cm之间的剂量变化为:

A 1倍B 3倍C 6倍D 9倍E 16倍

37为防止高剂量率照射引起治疗增益比的下降,可采用分次大剂量照射,其所用分次剂量为:

A 0.4 Gy B0.5 Gy C 2 Gy D 5 Gy E 12 Gy

38现代近距离照射中,模拟线源时假设驻留位为N,相邻驻留位之间的距离为S,则距离源（）之内,模拟源的剂量分布为波浪形,且离放射源距离越近越明显.

A N/2 B S/2 C NS D N/S E S/N

39采用等中心方法,拍摄两张互相垂直的影象片,此种放射源的定位技术称为:

A正交技术B立体平移技术C立体交角技术D立体斜交技术E旋转技术

40曼彻斯特系统规定，若放射源不能形成封闭的辐射平面，则治疗的面积会有所减少，一般单侧无交叉，面积减少：

A 5%B 10%C 15%D 20%E 25%

41曼彻斯特系统规定，辐射平面的面积决定周边源与中心源强度之比，当面积小于25 cm2时，二者的比值是：

A 1/4 B1/3 C 1/2 D 2/3 E 4/5

42关于巴黎系统的插植基本规则，描述错误的是：

A所有的放射源的线比释动能率相等

B放射源是相互平行的直线源

C插植时各直线源强度及长度相等

D各源的中心在同一平面，即中心平面

E多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形。

43巴黎系统规定，单平面插植最多使用9根放射源，三角形双平面插植最多也使用9根放射源，而正方形排列为（）根放射源。

A 8 B 9 C 10 D 11 E 12

44肿瘤组织内的克隆源性细胞数，通常用肿瘤的（）表示。

A SF2 B Tpot C T分期D N分期E M分期

45关于不对称射野，下列描述错误的是：

A不对称射野是指射野中心轴线偏离线束中心轴的射野

B IEC1217号标准规定，当叶片位于不对称射野坐标系的正方向时，叶片位置为正

C不对称射野由独立准直器的四个叶片形成

D不对称射野用于共面相邻野衔接时，会在相邻区出现剂量不均匀现象

E不对称射野可以实施弯曲形靶区的等中心旋转切线照射技术

46照射区是指对一定的照射技术及射野安排，（）等剂量线面所包括的范围。

A 50%B 80%C 90%D95%E 100%

47靶剂量的定义是：

A PTV内接受的最大剂量B PTV内接受的平均剂量C靶区内接受的最大剂量D靶区内接受的平均剂量E肿瘤得到控制或治愈的肿瘤致死剂量

48测量出射剂量时，在患者表面放置足够厚的反散射材料的目的是：

A便于测量B消除剂量跌落效应的影响C保证测量的精确性